IXTT1N300P3HV

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268HV-2

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

3 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

50 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

30.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

195 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

60 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

78 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Tags

IXTT1N, IXTT1, IXTT, IXT