STB3NK60ZT4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

45 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperMESH

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.4 mm

Länge:

6.6 mm

Serie:

STB3NK60ZT4

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

6.2 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.8 S

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STB3N, STB3, STB