BSD223PH6327XTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PG-SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

390 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

- 500 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Serie:

BSD223

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

350 mS

Abfallzeit:

3.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

5.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.8 ns

Teil # Aliase:

BSD223P BSD223PH6327XT H6327 SP000924074

Gewichtseinheit:

0.010582 oz

Tags

BSD223PH, BSD223, BSD22, BSD2, BSD