TC58NYG0S3EBAI4

TC58NYG0S3EBAI4
Mfr. #:
TC58NYG0S3EBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TC58NYG0S3EBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TFBGA-63
Speichergröße:
1 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
128 M x 8
Timing-Typ:
Synchron
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Produkt:
Nand Flash
Geschwindigkeit:
25 ns
Die Architektur:
Block löschen
Marke:
Toshiba-Speicher
Maximale Taktfrequenz:
-
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TC58NYG0S3E, TC58NYG0, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
SLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin TFBGA
*** Source Electronics
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TC58NYG0S3EBAI4
DISTI # TC58NYG0S3EBAI4
Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NYG0S3EBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray
Americas - 0
    TC58NYG0S3EBAI4
    DISTI # 757-TC58NYG0S3EBAI4
    Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      TC58NYG0S3EBAI4

      Mfr.#: TC58NYG0S3EBAI4

      OMO.#: OMO-TC58NYG0S3EBAI4-1151

      SLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NYG0S3EBAI4)
      TC58NYG1S3HBAI4_TRAY

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      OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI4-TRAY-1190

      Neu und Original
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      TC58NYG1S8HBAI6JD2

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      OMO.#: OMO-TC58NYG1S8HBAI6JD2-1190

      Neu und Original
      TC58NYG2S0FBAI4

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      TC58NYG2S3ETAI0

      Mfr.#: TC58NYG2S3ETAI0

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      TC58NYG2S0HBAI6

      Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI6

      OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

      EEPROM 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
      TC58NYG2S3EBAI5

      Mfr.#: TC58NYG2S3EBAI5

      OMO.#: OMO-TC58NYG2S3EBAI5-1151

      Flash Memory 8Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM
      TC58NYG0S3EBAI4JRH

      Mfr.#: TC58NYG0S3EBAI4JRH

      OMO.#: OMO-TC58NYG0S3EBAI4JRH-1190

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      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      2500
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