TPN14006NH,L1Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSON-Advance-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

33 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

15 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

30 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

3.1 mm

Serie:

TPN14006NH

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.1 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

5.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Tags

TPN1400, TPN140, TPN14, TPN1, TPN