UF3C065040K4S

UF3C065040K4S
Mfr. #:
UF3C065040K4S
Hersteller:
UnitedSiC
Beschreibung:
MOSFET 650V 42m? SiC Cascode Fast
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
UF3C065040K4S Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
UnitedSiC
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
SiC
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-4
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
650 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
54 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
52 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
25 V
Qg - Gate-Ladung:
43 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
326 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Qualifikation:
AEC-Q101
Verpackung:
Rohr
Serie:
UF3C
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
UnitedSiC
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Tags
UF3C06504, UF3C0, UF3C, UF3
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UF3C High-Performance SiC FETs
United Silicon Carbide UF3C High-Performance SiC FETs are cascode products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode optimized MOSFET to produce the only standard gate drive SiC device in the market today. This series exhibits ultra-low gate charge. These devices are excellent for switching inductive loads, and any application requiring standard gate drive. The F3 SiC fast JFETs series exhibits very fast switching using a TO-247, or D2PAK-3L package. Each device features the best reverse recovery characteristics of any device of similar ratings.
Bild Teil # Beschreibung
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Verfügbarkeit
Aktie:
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Auf Bestellung:
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35,74 $
5
34,13 $
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10
33,07 $
330,70 $
25
30,39 $
759,75 $
50
29,67 $
1 483,50 $
100
28,24 $
2 824,00 $
250
25,91 $
6 477,50 $
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