FCH041N65EFL4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

76 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

41 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, 30 V

Qg - Gate-Ladung:

229 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

595 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperFET II UniFET FRFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

22.74 mm

Länge:

15.8 mm

Serie:

FCH041N65EFL4

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.2 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

71.7 S

Abfallzeit:

48 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

65 ns

Werkspackungsmenge:

450

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

175 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

55 ns

Gewichtseinheit:

0.221838 oz

Tags

FCH041N65E, FCH041N65, FCH041, FCH04, FCH0, FCH