DMN7022LFG-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerDI3333-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

75 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

26.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

900 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN70

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

3.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.1 ns

Gewichtseinheit:

0.002540 oz

Tags

DMN7, DMN