DMP2010UFG-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerDI3333-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

42 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

12.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

103 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

900 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP2010

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

110 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

235 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.7 ns

Gewichtseinheit:

0.002540 oz

Tags

DMP2010UFG, DMP2010, DMP201, DMP20, DMP2, DMP