TSM2301BCX

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

80 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

5.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

900 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

P-Kanal

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.5 S

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

36 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

TSM2301B, TSM2301, TSM230, TSM23, TSM2, TSM