SIHP7N60E-E3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220AB-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

609 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

600 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

20 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

78 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

E

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Teil # Aliase:

SIHP7N60E

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

SIHP7, SIHP, SIH