SQD50P08-25L_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

25 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

91 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

136 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

38 S

Abfallzeit:

16 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

71 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Tags

SQD50P08-25, SQD50P08-2, SQD50P08, SQD50P, SQD50, SQD5, SQD