TSM650P03CX RFG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

55 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

8 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.56 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

12.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

19.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM