FQPF3N80CYDTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

39 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FQPF3N80C

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

32 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

43.5 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.090478 oz

Tags

FQPF3N80C, FQPF3N8, FQPF3N, FQPF3, FQPF, FQP