Jantx2N3506

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-39-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

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