SQD50N04-5m6_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

85 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

71 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

19 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

SQD50N04-5m6, SQD50N04-5, SQD50N04, SQD50N0, SQD50N, SQD50, SQD5, SQD