CSD18532Q5BT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSON-Clip-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

58 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

156 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

6 mm

Serie:

CSD18532Q5B

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

143 S

Abfallzeit:

3.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.2 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.8 ns

Gewichtseinheit:

0.004727 oz

Tags

CSD18532, CSD1853, CSD185, CSD18, CSD1, CSD