SIHFB11N50A-E3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

520 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

52 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

170 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

15.49 mm

Länge:

10.41 mm

Serie:

SIHF

Breite:

4.7 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Tags

SIHFB1, SIHFB, SIHF, SIH