IXTK32P60P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

32 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

350 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

196 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PolarP

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.16 mm

Länge:

19.96 mm

Serie:

IXTK32P60

Typ:

PolarP Leistungs-MOSFET

Breite:

5.13 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

21 S

Abfallzeit:

33 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

95 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

37 ns

Gewichtseinheit:

0.352740 oz

Tags

IXTK3, IXTK, IXT