SSM3J35AFS,LF

SSM3J35AFS,LF
Mfr. #:
SSM3J35AFS,LF
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SSM3J35AFS,LF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
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ECAD Model:
Mehr Informationen:
SSM3J35AFS,LF Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-416-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
P-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
20 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
250 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
1.1 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
10 V
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
500 mW (1/2 W)
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Transistortyp:
1 P-Channel
Marke:
Toshiba
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
430 mS
Abfallzeit:
145 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
42 ns
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
420 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
17 ns
Gewichtseinheit:
0.000085 oz
Tags
SSM3J35A, SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM
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Verfügbarkeit
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