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SI4618DY-T1-GE3

SI4618DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4618DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8/15.2A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4618DY-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4618DY-T1-GE3 DatasheetSI4618DY-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SI4618DY-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)SI4618DY-T1-GE3 Datasheet (P10-P12)SI4618DY-T1-GE3 Datasheet (P13-P14)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI4618DY-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
Leistung max
1.98W, 4.16W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
1535pF @ 15V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
8A, 15.2A
Rds-On-Max-Id-Vgs
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 1mA
Gate-Lade-Qg-Vgs
44nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
2.35 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
16 V
ID-Dauer-Drain-Strom
8 A 15.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
17 mOhms 10 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Qg-Gate-Ladung
29 nC 39 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
40 S 47 S
Tags
SI4618DY-T, SI4618D, SI4618, SI461, SI46, SI4
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Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A/11.4A 8-Pin SOIC N T/R
***S.I.T. Europe - USA - Asia
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
***nell
MOSFET, NN CH, SCH DIODE, 30V, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.98W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Power Dissipation Pd:1.98W
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4618DY-T1-GE3
DISTI # SI4618DY-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$1.1286
SI4618DY-T1-GE3
DISTI # 65T1698		Vishay IntertechnologiesMOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 1 V0
  • 1:$1.2800
  • 1000:$1.2000
  • 2000:$1.1400
  • 4000:$1.0300
  • 6000:$0.9880
  • 10000:$0.9500
SI4618DY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4618DY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 16V Vgs SO-8
RoHS: Compliant		0
    SI4618DY-T1-GE3Vishay Intertechnologies 2491
      SI4618DYT1GE3Vishay IntertechnologiesSmall Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      RoHS: Compliant      		Europe - 2500
        SI4618DY-T1-GE3
        DISTI # 2056724        		Vishay IntertechnologiesMOSFET, NN CH, SCH DIODE, 30V, SO8
        RoHS: Compliant        		0
        • 1:$3.6400
        • 10:$3.0200
        • 100:$2.3400
        • 500:$2.0500
        • 1000:$1.7100
        • 2500:$1.5800
        • 5000:$1.5200
        • 10000:$1.4600
        Bild Teil # Beschreibung
        SI4618DY-T1-E3

        Mfr.#: SI4618DY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4618DY-T1-E3

        		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
        SI4618DY-T1-E3

        Mfr.#: SI4618DY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4618DY-T1-E3-VISHAY

        		 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
        SI4618DY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4618DY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4618DY-T1-GE3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8/15.2A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
        SI4618DY

        Mfr.#: SI4618DY

        OMO.#: OMO-SI4618DY-1190

        		 Neu und Original
        SI4618DY-T1

        Mfr.#: SI4618DY-T1

        OMO.#: OMO-SI4618DY-T1-1190

        		 Neu und Original
        SI4618DY-T1-23

        Mfr.#: SI4618DY-T1-23

        OMO.#: OMO-SI4618DY-T1-23-1190

        		 Neu und Original
        Verfügbarkeit
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        Available
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        1,42 $
        10
        1,35 $
        13,54 $
        100
        1,28 $
        128,25 $
        500
        1,21 $
        605,65 $
        1000
        1,14 $
        1 140,00 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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