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SI4618DY-T1-E3

SI4618DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4618DY-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4618DY-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
SI4618DY-E3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
Aufbau
Dual mit Schottky-Diode
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
Leistung max
1.98W, 4.16W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
1535pF @ 15V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
8A, 15.2A
Rds-On-Max-Id-Vgs
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 1mA
Gate-Lade-Qg-Vgs
44nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
2.35 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
34 ns 45 ns
Anstiegszeit
87 ns 97 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
16 V
ID-Dauer-Drain-Strom
6.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
17 mOhms 10 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
30 ns 35 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
24 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI4618DY-T, SI4618D, SI4618, SI461, SI46, SI4
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4618DY-T1-E3
DISTI # V72:2272_09216537		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 6.7A/11.4A 8-Pin SOIC N T/R
RoHS: Compliant		24
  • 10:$1.2942
  • 1:$1.4849
SI4618DY-T1-E3
DISTI # SI4618DY-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		7500In Stock
  • 2500:$0.7170
SI4618DY-T1-E3
DISTI # SI4618DY-T1-E3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		1780In Stock
  • 1000:$0.7913
  • 500:$1.0023
  • 100:$1.2924
  • 10:$1.6350
  • 1:$1.8500
SI4618DY-T1-E3
DISTI # SI4618DY-T1-E3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Limited Supply - Call
    SI4618DY-T1-E3
    DISTI # SI4618DY-T1-E3    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 6.7A/11.4A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4618DY-T1-E3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 2500
    Container: Tape and Reel    		Europe - 0
    • 2500:€1.6699
    • 5000:€1.1699
    • 10000:€0.9649
    • 15000:€0.8569
    • 25000:€0.8099
    SI4618DY-T1-E3
    DISTI # 781-SI4618DY-T1-E3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 16V Vgs SO-8
    RoHS: Compliant    		3122
    • 1:$1.8200
    • 10:$1.5200
    • 100:$1.1800
    • 500:$1.0300
    • 1000:$0.9760
    SI4618DY-T1-E3
    DISTI # C1S803601025849    		Vishay IntertechnologiesMOSFETs24
    • 10:$1.2942
    SI4618DY-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 16V Vgs SO-8Americas -
      Bild Teil # Beschreibung
      SI4618DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4618DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4618DY-T1-E3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
      SI4618DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4618DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4618DY-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
      SI4618DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4618DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4618DY-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8/15.2A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
      SI4618DY

      Mfr.#: SI4618DY

      OMO.#: OMO-SI4618DY-1190

      		 Neu und Original
      SI4618DY-T1

      Mfr.#: SI4618DY-T1

      OMO.#: OMO-SI4618DY-T1-1190

      		 Neu und Original
      SI4618DY-T1-23

      Mfr.#: SI4618DY-T1-23

      OMO.#: OMO-SI4618DY-T1-23-1190

      		 Neu und Original
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      Available
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      1,08 $
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      100
      0,97 $
      96,98 $
      500
      0,92 $
      458,00 $
      1000
      0,86 $
      862,10 $
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