ZXMN6A08GQTC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

80 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

5.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.6 S

Abfallzeit:

4.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.1 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.6 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

ZXMN6A08G, ZXMN6A08, ZXMN6A0, ZXMN6A, ZXMN6, ZXMN, ZXM