SI7962DP-T1-GE3

SI7962DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7962DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7962DP-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7962DP-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Aufbau
Dual
Transistor-Typ
2 N-Channel
Pd-Verlustleistung
1.4 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
7.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
40 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
17 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SI7962, SI796, SI79, SI7
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7962DP-T1-GE3
DISTI # 781-SI7962DP-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.7200
Bild Teil # Beschreibung
SI7962DP-T1-E3

Mfr.#: SI7962DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-E3

MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
SI7962DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7962DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-GE3

MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
SI7962DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7962DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
SI7962DP-T1-E3

Mfr.#: SI7962DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-E3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
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