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SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7962DP-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7962DP-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
SI7962DP-E3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAKR SO-8 Dual
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR SO-8 Dual
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
1.4W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
40V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
7.1A
Rds-On-Max-Id-Vgs
17 mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
70nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
1.4 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
15 ns
Anstiegszeit
15 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
7.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
40 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
17 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
55 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
22 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7962, SI796, SI79, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:11100mA; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation, Pd:1.4W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7962DP-T1-E3
DISTI # SI7962DP-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.8873
SI7962DP-T1-E3
DISTI # 781-SI7962DP-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$1.7200
Bild Teil # Beschreibung
SI7962DP-T1-E3

Mfr.#: SI7962DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-E3

 MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
SI7962DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7962DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-GE3

 MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
SI7962DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7962DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-GE3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
SI7962DP-T1-E3

Mfr.#: SI7962DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-E3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
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2,58 $
10
2,45 $
24,51 $
100
2,32 $
232,20 $
500
2,19 $
1 096,50 $
1000
2,06 $
2 064,00 $
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