CSD16340Q3T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSON-Clip-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V, 8 V

Qg - Gate-Ladung:

9.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

CSD16340Q3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

121 S

Abfallzeit:

5.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16.1 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.8 ns

Gewichtseinheit:

0.001541 oz

Tags

CSD16340, CSD1634, CSD163, CSD16, CSD1, CSD