NTD4857NT4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.7 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

6.8 ns, 3.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20.6 ns, 18.7 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18.6 ns, 26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13.9 ns, 8.7 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD4857, NTD485, NTD48, NTD4, NTD