NTD4809NHT4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

NTD4809NH

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

5 ns, 3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns, 18 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns, 22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns, 7 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD4809NH, NTD4809N, NTD4809, NTD480, NTD48, NTD4, NTD