IRFH8307TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.35 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

50 nC

Pd - Verlustleistung:

156 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.83 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

190 S

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

31 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

26 ns

Teil # Aliase:

SP001565976

Gewichtseinheit:

0.005785 oz

Tags

IRFH83, IRFH8, IRFH, IRF