IXTH20N65X

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

210 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

35 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

320 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Serie:

X-Klasse

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

9 S

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

46 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTH20N6, IXTH20N, IXTH20, IXTH2, IXTH, IXT