CSD23280F3T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PICOSTAR-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

250 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

950 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

6 V

Qg - Gate-Ladung:

950 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PicoStar

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.35 mm

Länge:

0.73 mm

Serie:

CSD23280F3

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

0.64 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.000011 oz

Tags

CSD2328, CSD232, CSD23, CSD2, CSD