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TK6R7P06PL,RQ

TK6R7P06PL,RQ
Mfr. #:
TK6R7P06PL,RQ
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK6R7P06PL,RQ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK6R7P06PL,RQ DatasheetTK6R7P06PL,RQ Datasheet (P4-P6)TK6R7P06PL,RQ Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK6R7P06PL,RQ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-252-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
74 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
5 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
26 nC
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
66 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Serie:
TK6R7P06PL
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
10 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
5 ns
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
16 ns
Gewichtseinheit:
0.007055 oz
Tags
TK6R, TK6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
***et
Power MOSFET N-Channel 60V 74A 3-Pin DPAK T/R
***i-Key
MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
U-MOSIX-H Low Voltage Enhancement Mode MOSFETs
Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers and data centers. They feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the latest Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. The U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.Learn More
Bild Teil # Beschreibung
IRF60R217

Mfr.#: IRF60R217

OMO.#: OMO-IRF60R217

 MOSFET 60V, 58A, 9.9 mOhm 40 nC Qg
NTR3C21NZT1G

Mfr.#: NTR3C21NZT1G

OMO.#: OMO-NTR3C21NZT1G

 MOSFET 20 V SANYO T6 NCH IN
NVD5C684NLT4G

Mfr.#: NVD5C684NLT4G

OMO.#: OMO-NVD5C684NLT4G

 MOSFET T6 60V LL DPAK
NVD5C668NLT4G

Mfr.#: NVD5C668NLT4G

OMO.#: OMO-NVD5C668NLT4G

 MOSFET T6 60V LL DPAK
FOD817B3SD

Mfr.#: FOD817B3SD

OMO.#: OMO-FOD817B3SD

 Transistor Output Optocouplers Phototransistor Output Optocoupler
FDD10AN06A0-F085

Mfr.#: FDD10AN06A0-F085

OMO.#: OMO-FDD10AN06A0-F085

 MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET
LMR16020PDDAR

Mfr.#: LMR16020PDDAR

OMO.#: OMO-LMR16020PDDAR

 Switching Voltage Regulators Shark Bite 2A SOIC
LMR16010PDDAR

Mfr.#: LMR16010PDDAR

OMO.#: OMO-LMR16010PDDAR

 Switching Voltage Regulators Shark Bite 1A SOIC
C2012X8R1H104K125AE

Mfr.#: C2012X8R1H104K125AE

OMO.#: OMO-C2012X8R1H104K125AE

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT SOFT 0805 50V 0.1uF X8R 10% T: 1.25mm
IRF60R217

Mfr.#: IRF60R217

OMO.#: OMO-IRF60R217-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 60V 58A
Verfügbarkeit
Aktie:
26
Auf Bestellung:
2009
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Menge
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1
1,01 $
1,01 $
10
0,78 $
7,84 $
100
0,50 $
50,50 $
1000
0,40 $
404,00 $
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