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IXTH102N15T

IXTH102N15T
Mfr. #:
IXTH102N15T
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTH102N15T Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTH102N15T DatasheetIXTH102N15T Datasheet (P4-P6)IXTH102N15T Datasheet (P7)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXTH102N15T Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
150 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
102 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
18 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
87 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
455 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Höhe:
21.46 mm
Länge:
16.26 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.3 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
22 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
14 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
20 ns
Gewichtseinheit:
0.229281 oz
Tags
IXTH102, IXTH10, IXTH1, IXTH, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTH102N15T
DISTI # IXTH102N15T-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 150V 102A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$3.9377
Bild Teil # Beschreibung
IXTH120P065T

Mfr.#: IXTH120P065T

OMO.#: OMO-IXTH120P065T

 MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
IXTH150N15X4

Mfr.#: IXTH150N15X4

OMO.#: OMO-IXTH150N15X4

 MOSFET DISCMSFT NCH HIPERFET-Q CLASS
IXTH13N80

Mfr.#: IXTH13N80

OMO.#: OMO-IXTH13N80

 MOSFET 13 Amps 800V
IXTH140P10T

Mfr.#: IXTH140P10T

OMO.#: OMO-IXTH140P10T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET P-CH 100V 140A TO-247
IXTH150N17T

Mfr.#: IXTH150N17T

OMO.#: OMO-IXTH150N17T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
IXTH180N085T

Mfr.#: IXTH180N085T

OMO.#: OMO-IXTH180N085T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 85V 180A TO-247
IXTH180N10T

Mfr.#: IXTH180N10T

OMO.#: OMO-IXTH180N10T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
IXTH14N80

Mfr.#: IXTH14N80

OMO.#: OMO-IXTH14N80-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds
IXTH102N25T

Mfr.#: IXTH102N25T

OMO.#: OMO-IXTH102N25T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds
IXTH16P20

Mfr.#: IXTH16P20

OMO.#: OMO-IXTH16P20-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET -16 Amps -200V 0.22 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
6,51 $
6,51 $
10
5,82 $
58,20 $
25
5,06 $
126,50 $
50
4,96 $
248,00 $
100
4,77 $
477,00 $
250
4,08 $
1 020,00 $
500
3,87 $
1 935,00 $
1000
3,26 $
3 260,00 $
2500
2,79 $
6 975,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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