IXFX26N100P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

390 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

780 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.34 mm

Länge:

16.13 mm

Serie:

IXFX26N100

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

45 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

72 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

45 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXFX26N, IXFX26, IXFX2, IXFX, IXF