RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F
Mfr. #:
RN1114MFV,L3F
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1114MFV,L3F Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RN1114MFV,L3F DatasheetRN1114MFV,L3F Datasheet (P4-P6)RN1114MFV,L3F Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
1 kOhms, 10 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
0.1
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-723-3
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
50
Maximale Betriebsfrequenz:
250 MHz
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
150 mW
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
RN1114MFV
Verpackung:
Spule
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Marke:
Toshiba
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
8000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
RN1114M, RN1114, RN111, RN11, RN1
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Packaging Boxes
***el Electronic
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
***et
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin VESM Embossed T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
***
TRANS VESM PD 0.15W F/1MHZ(LF)
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RN1114MFV,L3F
DISTI # RN1114MFVL3F-ND
Toshiba America Electronic ComponentsX34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
RoHS: Compliant
Min Qty: 8000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 8000:$0.0315
RN1114MFV,L3F
DISTI # RN1114MFV,L3F
Toshiba America Electronic ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin VESM Embossed T/R - Tape and Reel (Alt: RN1114MFV,L3F)
RoHS: Compliant
Min Qty: 8000
Container: Reel
Americas - 0
  • 80000:$0.0192
  • 48000:$0.0198
  • 32000:$0.0209
  • 16000:$0.0221
  • 8000:$0.0235
RN1114MFV,L3F
DISTI # 757-RN1114MFVL3F
Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
RoHS: Compliant
0
  • 1:$0.2200
  • 10:$0.1390
  • 100:$0.0580
  • 1000:$0.0400
  • 2500:$0.0300
  • 8000:$0.0260
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  • 96000:$0.0200
RN1114MFV,L3FToshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
RoHS: Compliant
Americas -
    RN1114MFVL3FToshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased VESM TRAN PD 150MW F 1MHZ (LF
    RoHS: Compliant
    Americas -
      Bild Teil # Beschreibung
      RN1114MFV(TPL3)

      Mfr.#: RN1114MFV(TPL3)

      OMO.#: OMO-RN1114MFV-TPL3-

      Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
      RN1114(T5L,F,T)

      Mfr.#: RN1114(T5L,F,T)

      OMO.#: OMO-RN1114-T5L-F-T--TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

      Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
      RN1114(T5LFT)CT-ND

      Mfr.#: RN1114(T5LFT)CT-ND

      OMO.#: OMO-RN1114-T5LFT-CT-ND-1190

      Neu und Original
      RN1114(T5LFT)DKR-ND

      Mfr.#: RN1114(T5LFT)DKR-ND

      OMO.#: OMO-RN1114-T5LFT-DKR-ND-1190

      Neu und Original
      RN1114(T5LFT)TR-ND

      Mfr.#: RN1114(T5LFT)TR-ND

      OMO.#: OMO-RN1114-T5LFT-TR-ND-1190

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      RN1114MFVL3F-ND

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      OMO.#: OMO-RN1114MFVL3F-ND-1190

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      RN1114

      Mfr.#: RN1114

      OMO.#: OMO-RN1114-1190

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      RN1114FV

      Mfr.#: RN1114FV

      OMO.#: OMO-RN1114FV-1190

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      RN1114MFV

      Mfr.#: RN1114MFV

      OMO.#: OMO-RN1114MFV-1190

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      RN1114MFV,L3F

      Mfr.#: RN1114MFV,L3F

      OMO.#: OMO-RN1114MFV-L3F-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

      X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
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      0,04 $
      40,00 $
      2500
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