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RN1114MFV(TPL3)

RN1114MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN1114MFV(TPL3)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1114MFV(TPL3) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
N
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
1 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
0.1
Montageart:
SMD/SMT
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
50
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
150 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
RN1114MFV
Verpackung:
Spule
Kollektor- Basisspannung VCBO:
50 V
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Höhe:
1.2 mm
Länge:
1.2 mm
Betriebstemperaturbereich:
- 65 C to + 150 C
Typ:
Epitaxialer NPN-Siliziumtransistor
Breite:
0.5 mm
Marke:
Toshiba
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
8000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
RN1114M, RN1114, RN111, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
50V 100MA 3P 1.KOHMS X110KOHM
***et
X34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF)
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
2.2KOHMS X 10KOHMS
***ca Corp
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
***nell
DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: 0.1(Ratio); RF Transistor Case: SOT-723; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTC043Z Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
*** Stop Electro
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
***nell
DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resis
***ure Electronics
DTC143E Series 50 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - VMT-3
***ark
Trans Digital Bjt Npn 100Ma 3-Pin Vmt T/r Rohs Compliant: Yes
***nell
TRANSISTOR,NPN,50V,0.1A,VMT3; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 4.7kohm; Resis
***et
X34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF)
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
50V 100MA 3P 10K X 4.7K0HMS
***ark
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SOT-723; Transistor Polarity:NPN; Collecto
***(Formerly Allied Electronics)
Transistor PNP 50V 2.2K 2.2K SSSMini3-F2 | Panasonic Electronic Components DRC3123E0L
***er Electronics
SC,TRANSISTOR WITH BUILT-IN RESISTORS / NPN SINGLE, FOR DIGITAL CIRCUITS, VCEO:50V, IC:100MA
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RN1114MFV(TPL3)
DISTI # 757-RN1114MFV(TPL3)		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
RoHS: Not compliant		0
    RN1114MFV(TPL3)
    DISTI # 580115    		Toshiba America Electronic ComponentsTR.+VIASRES. NPN VCEO=50V IC=100MA VESM, PK150
    • 50:£0.0820
    • 200:£0.0270
    • 500:£0.0270
    • 1000:£0.0260
    • 2000:£0.0250
    Bild Teil # Beschreibung
    RN1114MFV,L3F

    Mfr.#: RN1114MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-L3F

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
    RN1114MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1114MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-TPL3-

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
    RN1114MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1114MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-TPL3--123

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
    RN1114MFVL3F-ND

    Mfr.#: RN1114MFVL3F-ND

    OMO.#: OMO-RN1114MFVL3F-ND-1190

    		 Neu und Original
    RN1114MFV

    Mfr.#: RN1114MFV

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-1190

    		 Neu und Original
    RN1114MFV,L3F

    Mfr.#: RN1114MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-L3F-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

    		 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1500
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von RN1114MFV(TPL3) dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    0,30 $
    0,30 $
    10
    0,20 $
    1,95 $
    100
    0,08 $
    8,20 $
    1000
    0,06 $
    56,00 $
    2500
    0,04 $
    105,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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