SI4401DY-T1-GE3

SI4401DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4401DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 40V 10.5A 3.0W 15.5mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4401DY-T1-GE3 Datenblatt
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4401DY-T1-GE3 DatasheetSI4401DY-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SI4401DY-T1-GE3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI4401DY-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 P-Channel
Pd-Verlustleistung
1.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
8.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 40 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
15.5 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Tags
SI4401DY-T1, SI4401DY-T, SI4401DY, SI4401D, Si4401, Si440, SI44, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
P CHANNEL MOSFET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4401DY-T1-GE3
DISTI # SI4401DY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4401DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4401DY-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 40V 10.5A 3.0W 15.5mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI4401DY-T1-E3

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      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4401DDY-T1-GE3
      SI4401DY-T1-GE3

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      IGBT Transistors MOSFET 40V 10.5A 3.0W 15.5mohm @ 10V
      SI4401DDY-T1-GE3-CUT TAPE

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      MOSFET 40V 10.5A 3W
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      MOSFET 40V 10.5A 3W
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      MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
      SI4401DY-TI-E3

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      SI4401DYT1

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      Small Signal Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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