CG2H80030D-GP4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Cree, Inc.

Produktkategorie:

HF-JFET-Transistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

HEMT

Technologie:

GaN

Gewinnen:

17 dB

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:

- 10 V to 2 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

0.8 A

Ausgangsleistung:

6 W

Maximale Drain-Gate-Spannung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

-

Maximale Betriebstemperatur:

-

Pd - Verlustleistung:

-

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

sterben

Verpackung:

Gel-Pack

Anwendung:

-

Aufbau:

Single

Höhe:

100 um

Länge:

840 um

Arbeitsfrequenz:

10 MHz to 18 GHz

Betriebstemperaturbereich:

-

Produkt:

GaN HEMT

Breite:

800 um

Marke:

Wolfspeed / Cree

Gate-Source-Abschaltspannung:

-

Klasse:

-

Entwicklungs-Kit:

-

Abfallzeit:

-

NF - Rauschzahl:

-

P1dB - Kompressionspunkt:

-

Produktart:

HF-JFET-Transistoren

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.3 Ohms

Anstiegszeit:

-

Werkspackungsmenge:

10

Unterkategorie:

Transistoren

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

-

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 3 V

Tags

CG2H800, CG2H8, CG2H, CG2