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GB05SLT12-252

GB05SLT12-252
Mfr. #:
GB05SLT12-252
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifie
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
GB05SLT12-252 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
GB05SLT12-252 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
GeneSiC Halbleiter
Produktkategorie
Dioden, Gleichrichter - Einzeln
Serie
GB05SLT12
Produkt
Schottky-Siliziumkarbid-Dioden
Verpackung
Schüttgut
Gewichtseinheit
0.056438 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie
SiC
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Lieferanten-Geräte-Paket
TO-252
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Dioden-Typ
Siliziumkarbid Schottky
Strom-Rückwärts-Leckage-Vr
50μA @ 1200V
Spannung-Vorwärts-Uf-Max-If
1.8V @ 2A
Spannung-DC-Rückwärts-Vr-Max
1200V (1.2kV)
Strom-Durchschnitt-Gleichgerichtet-Io
5A
Reverse-Recovery-Time-trr
0ns
Kapazität-Vr-F
260pF @ 1V, 1MHz
Betriebstemperatur-Kreuzung
*
Pd-Verlustleistung
42 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 175 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Uf-Vorwärtsspannung
1.9 V
Ir-Gegenstrom
26 uA
If-Forward-Current
5 A
Vrrm-Repetitive-Reverse-Voltage
1200 V
Ifsm-Forward-Surge-Current
32 A
trr-Reverse-Recovery-Zeit
25 ns
Tags
GB05S, GB05, GB0
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***eSiC Semiconductor
SiC Schottky MPS™ Diode 1200V 5A TO-252-2
***i-Key
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
***ark
SIC SCHOTTKY DIODE, SINGLE, 5A, 1.2KV, TO-252; Product Range:1200V Series; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.2kV; Continuous Forward Current If:5A; Total Capacitive Charge Qc:35nC; No. of Pins:3 Pin RoHS Compliant: Yes
1200V & 1700V SiC MPS Schottky Diodes
GeneSiC Semiconductor 1200V and 1700V SiC MPS Schottky Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. Both the 1200V and 1700V Schottky Diodes offer the advantage of paralleling devices without a thermal runaway. Additional features include low reverse recovery current, low device capacitance, and low reverse leakage current. The SiC MPS Schottky Diodes are ideal for a wide range of applications including LED lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, and electric vehicles.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
GB05SLT12-252
DISTI # 1242-1129-ND		GeneSic Semiconductor IncDIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Bulk		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$3.4843
GB05SLT12-252
DISTI # 905-GB05SLT12-252		GeneSic Semiconductor IncSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
RoHS: Compliant		179
  • 1:$8.5000
  • 10:$7.6500
  • 25:$6.9700
  • 100:$6.3000
  • 250:$5.7900
  • 500:$5.2700
  • 1000:$4.6000
Bild Teil # Beschreibung
GB05SLT12-220

Mfr.#: GB05SLT12-220

OMO.#: OMO-GB05SLT12-220

 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
GB05SLT12-252

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 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
GB05SLT12-252

Mfr.#: GB05SLT12-252

OMO.#: OMO-GB05SLT12-252-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifie
GB05SLT12-220

Mfr.#: GB05SLT12-220

OMO.#: OMO-GB05SLT12-220-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifie
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Available
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1
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5,23 $
10
4,97 $
49,65 $
100
4,70 $
470,38 $
500
4,44 $
2 221,25 $
1000
4,18 $
4 181,20 $
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