SQ3987EV-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

85 mOhms, 85 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

12.2 nC, 12.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

1.67 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ3987EV

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.2 S, 4.2 S

Abfallzeit:

2.2 ns, 2.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.4 ns, 2.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18.4 ns, 18.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.6 ns, 6.6 ns

Gewichtseinheit:

0.001552 oz

Tags

SQ398, SQ39, SQ3