SI7112DN-T1-GE3

Mfr. #:: SI7112DN-T1-GE3
Hersteller:: Vishay
Beschreibung:: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
Lebenszyklus:: Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:: SI7112DN-T1-GE3 Datenblatt
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Produkteigenschaft
Attributwert

Hersteller: VISHAY

Produktkategorie: FETs - Einzeln

Serie: SI71xxDx

Verpackung: Spule

Teil-Aliasnamen: SI7112DN-GE3

Montageart: SMD/SMT

Paket-Koffer: PowerPAK-1212-8

Technologie: Si

Anzahl der Kanäle: 1 Channel

Aufbau: Single

Transistor-Typ: 1 N-Channel

Pd-Verlustleistung: 1.5 W

Maximale-Betriebstemperatur: + 150 C

Mindest-Betriebstemperatur: - 55 C

Abfallzeit: 10 ns

Anstiegszeit: 10 ns

Vgs-Gate-Source-Spannung: 12 V

ID-Dauer-Drain-Strom: 11.3 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Widerstand: 7.5 mOhms

Transistor-Polarität: N-Kanal

Typische-Ausschaltverzögerungszeit: 65 ns

Typische-Einschaltverzögerungszeit: 10 ns

Kanal-Modus: Erweiterung

Tags: SI7112DN-T, SI7112D, SI7112, SI711, SI71, SI7

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SI7112DN-T1-GE3 Beschreibung

***et: Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

***ark: MOSFET, N CH, 30V, 11.3A, POWERPAK 1212-8

***ment14 APAC: MOSFET, N CH, 30V, 11.3A, POWERPAK 1212-

***i-Key: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

***nell: MOSFET, N CH, 30V, 11.3A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Min:-50°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:-

Market price

Teil #	Mfg.	Beschreibung	Aktie	Preis
SI7112DN-T1-GE3 DISTI # SI7112DN-T1-GE3TR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	On Order	3000:$0.7170
SI7112DN-T1-GE3 DISTI # SI7112DN-T1-GE3CT-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Temporarily Out of Stock	1000:$0.7913 500:$1.0023 100:$1.2924 10:$1.6350 1:$1.8500
SI7112DN-T1-GE3 DISTI # SI7112DN-T1-GE3DKR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Temporarily Out of Stock	1000:$0.7913 500:$1.0023 100:$1.2924 10:$1.6350 1:$1.8500
SI7112DN-T1-GE3 DISTI # SI7112DN-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7112DN-T1-GE3) RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Reel	Americas - 0	3000:$0.9749 6000:$0.9459 12000:$0.9069 18000:$0.8819 30000:$0.8579
SI7112DN-T1-GE3 DISTI # 69W7220	Vishay Intertechnologies	MOSFET, N CHANNEL, 30V, 11.3A, POWERPAK 1212-8,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:11.3A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.006ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:600mV, RoHS Compliant: Yes	0	1:$2.0900 25:$1.7300 50:$1.5400 100:$1.3400 250:$1.2600 500:$1.1800 1000:$0.9720
SI7112DN-T1-GE3 DISTI # 33P5375	Vishay Intertechnologies	MOSFET, N CH, 30V, 11.3A, POWERPAK 1212-8, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:11.3A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.006ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,No. of Pins:8Pins , RoHS Compliant: Yes	0	1:$0.9920 3000:$0.9850 6000:$0.9380 12000:$0.8310
SI7112DN-T1-GE3 DISTI # 781-SI7112DN-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V RoHS: Compliant	0	1:$2.0900 10:$1.7300 100:$1.3400 500:$1.1800 1000:$0.9720 3000:$0.9050 6000:$0.8720 9000:$0.8710
SI7112DN-T1-GE3 DISTI # 2459429	Vishay Intertechnologies	MOSFET, N CHANNEL, 30V, 11.3A, POWERPAK 1212-8 RoHS: Compliant	0	3000:$3.8500
SI7112DN-T1-GE3 DISTI # 2459429	Vishay Intertechnologies	MOSFET, N CHANNEL, 30V, 11.3A, POWERPAK RoHS: Compliant	0	3000:£0.8540

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	Mfr.#: SI7112DN-T1-GE3 OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-GE3	MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
	Mfr.#: SI7112DN-T1-GE3 OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-GE3-VISHAY	MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
	Mfr.#: SI7112DN-T1-E3-CUT TAPE OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3-CUT-TAPE-1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI7112DN OMO.#: OMO-SI7112DN-1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI7112DN-T1 OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI7112DN-T1-E3CT OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3CT-1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI7112DN-T1-GE3CT OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-GE3CT-1190	Neu und Original
	Mfr.#: SI7112DN-T1-E3 OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3-VISHAY	MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

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