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SI7112DN-T1-E3

SI7112DN-T1-E3
Mfr. #:
SI7112DN-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7112DN-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAT
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
SI71xxDx
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7112DN-T1
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAK-1212-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
1.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
10 ns
Anstiegszeit
10 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
11.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
7.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
65 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
10 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7112DN-T1-E, SI7112DN-T, SI7112D, SI7112, SI711, SI71, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 30 V 7.5 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
***C
MOSFET N-CH 30V 11.3A
***
N-CH 30-V (D-S) FAST SWITCH
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:17800mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0082ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:1.5W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7112DN-T1-E3
DISTI # SI7112DN-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 3000:$0.7170
SI7112DN-T1-E3
DISTI # SI7112DN-T1-E3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.7913
  • 500:$1.0023
  • 100:$1.2924
  • 10:$1.6350
  • 1:$1.8500
SI7112DN-T1-E3
DISTI # SI7112DN-T1-E3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.7913
  • 500:$1.0023
  • 100:$1.2924
  • 10:$1.6350
  • 1:$1.8500
SI7112DN-T1-E3
DISTI # SI7112DN-T1-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7112DN-T1-E3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.5869
  • 6000:$0.5689
  • 12000:$0.5459
  • 18000:$0.5309
  • 30000:$0.5169
SI7112DN-T1-E3
DISTI # 18X0019		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CHANNEL, 30V, 11.3A, POWERPAK 1212,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:11.3A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.006ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:600mV , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.9400
  • 10:$1.8800
  • 100:$1.4800
  • 250:$1.4100
  • 500:$1.3200
  • 1000:$1.0600
SI7112DN-T1-E3
DISTI # 51K6981		Vishay IntertechnologiesN CH MOSFET, 30V, 17.8A, POWERPAK, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:17.8A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):8.2mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:12V,Threshold Voltage Vgs:1.5V , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.9920
  • 3000:$0.9850
  • 6000:$0.9380
  • 12000:$0.8310
SI7112DN-T1-E3
DISTI # 781-SI7112DN-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.0900
  • 10:$1.7300
  • 100:$1.3400
  • 500:$1.1800
  • 1000:$1.1300
  • 3000:$1.1200
SI7112DN-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10VAmericas -
    Bild Teil # Beschreibung
    SI7112DN-T1-E3

    Mfr.#: SI7112DN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3

    		 MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
    SI7112DN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7112DN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-GE3

    		 MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
    SI7112DN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7112DN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
    SI7112DN-T1-E3-CUT TAPE

    Mfr.#: SI7112DN-T1-E3-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3-CUT-TAPE-1190

    		 Neu und Original
    SI7112DN

    Mfr.#: SI7112DN

    OMO.#: OMO-SI7112DN-1190

    		 Neu und Original
    SI7112DN-T1

    Mfr.#: SI7112DN-T1

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-1190

    		 Neu und Original
    SI7112DN-T1-E3CT

    Mfr.#: SI7112DN-T1-E3CT

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3CT-1190

    		 Neu und Original
    SI7112DN-T1-GE3CT

    Mfr.#: SI7112DN-T1-GE3CT

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-GE3CT-1190

    		 Neu und Original
    SI7112DN-T1-E3

    Mfr.#: SI7112DN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1500
    Menge eingeben:
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    ext. Preis
    1
    0,78 $
    0,78 $
    10
    0,74 $
    7,37 $
    100
    0,70 $
    69,78 $
    500
    0,66 $
    329,50 $
    1000
    0,62 $
    620,30 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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