CDM22010-650

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

20 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

156 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Serie:

CDM22010

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Zentraler Halbleiter

Abfallzeit:

36 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

CDM22010-650 PBFREE

Tags

CDM2201, CDM220, CDM22, CDM2, CDM