IPB60R280C6

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

13.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

250 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

43 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

104 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

CoolMOS C6

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

600 V CoolMOS C6 Power Transistor

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Teil # Aliase:

IPB60R280C6ATMA1 IPB6R28C6XT SP000687550

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPB60R280C, IPB60R28, IPB60R2, IPB60R, IPB60, IPB6, IPB