MMDT5451-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

150 V, 160 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

160 V, 180 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

300 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

MMDT5451

DC-Stromverstärkung hFE Max:

240

Höhe:

1 mm

Länge:

2.2 mm

Breite:

1.35 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 0.2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

60

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000212 oz

Tags

MMDT545, MMDT54, MMDT5, MMDT, MMD