IRFHM792TRPBF

IRFHM792TRPBF
Mfr. #:
IRFHM792TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRFHM792TRPBF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Infineon-Technologien
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
HEXFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-PowerVDFN
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
2.3W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
100V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
251pF @ 25V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
2.3A
Rds-On-Max-Id-Vgs
195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4V @ 10μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
6.3nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
2.3 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
2.6 ns
Anstiegszeit
4.7 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
2.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
3 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
195 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
5.2 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
3.4 ns
Qg-Gate-Ladung
4.2 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
3.5 S
Tags
IRFHM79, IRFHM7, IRFHM, IRFH, IRF
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Packaging Boxes
***ure Electronics
Dual N-Channel 100 V 195 mOhm 6.3 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
***ernational Rectifier
100V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3.3mm x3.3mm Lead Free package
***et
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN T/R
***ark
N CH MOSFET, DUAL, 100V, 3.4A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.164ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes
***ineon
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Low Profile (less than 1.2 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified INDUSTRIAL; Qualified MSL1; Dual N-Channel MOSFET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRFHM792TRPBF
DISTI # IRFHM792TRPBF-ND
Infineon Technologies AGMOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 4000:$0.9263
IRFHM792TRPBF
DISTI # IRFHM792TRPBF
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN T/R - Tape and Reel (Alt: IRFHM792TRPBF)
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Reel
Americas - 0
  • 4000:$0.7189
  • 8000:$0.6929
  • 16000:$0.6679
  • 24000:$0.6449
  • 40000:$0.6339
IRFHM792TRPBF
DISTI # SP001554848
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN T/R (Alt: SP001554848)
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Tape and Reel
Europe - 0
  • 4000:€0.9309
  • 8000:€0.7609
  • 16000:€0.6979
  • 24000:€0.6439
  • 40000:€0.5979
IRFHM792TRPBF
DISTI # 942-IRFHM792TRPBF
Infineon Technologies AGMOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET
RoHS: Compliant
161
  • 1:$1.8800
  • 10:$1.6000
  • 100:$1.2800
  • 500:$1.1200
  • 1000:$0.9300
  • 4000:$0.8300
Bild Teil # Beschreibung
IRFHM792TRPBF

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MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET
IRFHM792TR2PBF

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OMO.#: OMO-IRFHM792TR2PBF

MOSFET MOSFT 100V dual 2.9A 195mOhm
IRFHM7194TRPBF

Mfr.#: IRFHM7194TRPBF

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MOSFET TRENCH_MOSFETS
IRFHM7194TRPBF

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MOSFET N-CH 100V 9.3A
IRFHM792TRPBFINFINEON-CS

Mfr.#: IRFHM792TRPBFINFINEON-CS

OMO.#: OMO-IRFHM792TRPBFINFINEON-CS-1190

Neu und Original
IRFHM792TR2PBF

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IGBT Transistors MOSFET MOSFT 100V dual 2.9A 195mOhm
IRFHM792TRPBF

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RF Bipolar Transistors MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET
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10
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9,03 $
100
0,86 $
85,58 $
500
0,81 $
404,10 $
1000
0,76 $
760,70 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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