IRFHM792TR2PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

195 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

4.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.3 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

3.3 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.5 S

Abfallzeit:

2.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.7 ns

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

5.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.4 ns

Teil # Aliase:

SP001575860

Gewichtseinheit:

0.001164 oz

Tags

IRFHM79, IRFHM7, IRFHM, IRFH, IRF