IPU80R1K4P7AKMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

10 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 50 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

32 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

CoolMOS P7

Breite:

2.38 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

IPU80R1K4P7 SP001422742

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

IPU80R1K4P, IPU80R1K4, IPU80R1, IPU80, IPU8, IPU