OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hallo, melde dich anMein Konto
0 Wagen

IPI023NE7N3 G

IPI023NE7N3 G
Mfr. #:
IPI023NE7N3 G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPI023NE7N3 G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-262-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
75 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
2.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
155 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
300 W
Aufbau:
Single
Handelsname:
OptiMOS
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.45 mm
Länge:
10.2 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
22 nS
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
26 nS
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
70 nS
Teil # Aliase:
IPI023NE7N3GAKSA1 SP000641732
Gewichtseinheit:
0.084199 oz
Tags
IPI023, IPI02, IPI0, IPI
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin TO-262 Tube
*** Electronic Components
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
***i-Key
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPI023NE7N3 G
DISTI # IPI023NE7N3G-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPI023NE7N3 G
    DISTI # 726-IPI023NE7N3G    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
    RoHS: Compliant    		0
      IPI023NE7N3GInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      RoHS: Compliant      		6946
      • 1000:$2.3200
      • 500:$2.4500
      • 100:$2.5500
      • 25:$2.6600
      • 1:$2.8600
      IPI023NE7N3 GInfineon Technologies AG 
      RoHS: Not Compliant      		1500
      • 1000:$2.3200
      • 500:$2.4500
      • 100:$2.5500
      • 25:$2.6600
      • 1:$2.8600
      Bild Teil # Beschreibung
      IPI023NE7N3 G

      Mfr.#: IPI023NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3-G

      		 MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      IPI023NE7N3

      Mfr.#: IPI023NE7N3

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3-1190

      		 Neu und Original
      IPI023NE7N3G

      Mfr.#: IPI023NE7N3G

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3G-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      IPI023NE7N3 G

      Mfr.#: IPI023NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      1500
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von IPI023NE7N3 G dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Beginnen mit
      Top