BSS209PW L6327

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

580 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

550 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

520 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

BSS209

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

5.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.4 ns

Teil # Aliase:

BSS209PWL6327XT

Gewichtseinheit:

0.000176 oz

Tags

BSS209PWL, BSS209P, BSS209, BSS20, BSS2, BSS